路透：SK海力士在美国纽约州建厂计划受阻 原创

产联社编译

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韩国存储芯片制造商SK海力士（SK hynix）希望扩大在中国大连工厂的产能，通过增产创收，为其在美国建设新工厂提供资金支持。但扩大产能需要引进芯片制造设备，而美国限制向中国出口部分芯片制造设备，大连工厂引进相关设备仍需获得美方批准。目前许可尚未获批，也使SK海力士在纽约州的投资计划受到影响。

11月3日，据路透社援引知情人士报道，SK海力士旗下美国存储企业Solidigm计划投资约450亿美元，在纽约州马西（Marcy）建设两座NAND工厂，长期投资规模可能达到约1000亿美元。NAND是一种断电后仍能保存数据的存储芯片，可用于数据中心等领域。

SK海力士于2020年同意以90亿美元收购英特尔在大连的NAND工厂及相关业务，随后接管该工厂和固态硬盘业务。不久后，美国实施广泛出口管制，限制向其认定的中国先进芯片工厂供应美国芯片制造设备，大连工厂获取相关设备因此受到限制。

知情人士表示，SK海力士希望提高大连工厂的产量，并发展更先进的NAND制造技术，以保持竞争力、创造收入，从而为美国建厂提供资金。因此，能否获得美国政府对大连工厂所需芯片制造设备的出口许可，成为SK海力士纽约州投资项目能否顺利推进的关键。

不过，上述投资安排尚未获得公司确认。Solidigm表示，正研究在全球潜在地点建设NAND工厂的方案，尚未就任何具体行动作出决定。

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