路透社：SK海力士寻求美国批准向大连工厂出口设备，作为在美建厂条件 原创

产联社编译

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10月15日，据路透社援引两名知情人士消息报道，韩国存储芯片制造商SK海力士正寻求美国政府批准向其中国大连工厂出口更多美国芯片制造设备，并将获得相关许可作为在美国建设新工厂的条件。目前，特朗普政府正推动SK海力士、三星电子等外国半导体企业在美国投资建厂，以扩大本土芯片制造能力。

报道称，SK海力士旗下美国子公司Solidigm计划在大连工厂一处名为Mod B的厂房内安装更多设备，提高NAND闪存芯片产量。这些芯片主要用于Solidigm向人工智能和云计算数据中心销售的固态硬盘（SSD）。该厂房于2023年建成，但受当时存储芯片市场低迷影响，生产设备未能全部安装，目前仍有大量空间可供利用。

一名知情人士表示，扩大中国工厂的实际产量，有助于Solidigm为美国NAND闪存工厂筹集建设资金，并在美国新增产能投产前提供过渡性产能支持。另一名消息人士称，Solidigm还在考虑最早于2027年进行首次公开募股（IPO），所得资金也可能用于美国工厂建设。

不过，SK海力士在回应路透社时表示，大连Mod B厂房的设备安装工作正与美国政府密切协商，并在获得授权的情况下推进。该公司强调，并未寻求扩大2023年建成的Mod B厂房的产能。Solidigm拒绝置评，美国商务部也未回应置评请求。

美国近年来持续收紧对华半导体设备出口管制。2025年，美国商务部撤销了此前允许SK海力士和三星电子无需逐次申请许可证、即可向中国工厂出口美国设备的特别授权。美方随后表示，将允许相关企业进口维持现有工厂运营所需的设备，但预计不会批准用于扩大产能或升级技术的设备出口申请。2025年12月，美国商务部向SK海力士大连工厂发放了2026年度出口许可证，但限制了设备数量。目前，美方尚未发放2027年度相关许可，Solidigm也已申请为Mod B厂房采购更多设备。

当前全球NAND闪存市场供应紧张。半导体研究机构TechInsights的存储行业专家沃尔特·库恩（Walt Coon）表示，自2023年年中以来，NAND闪存价格已上涨至当时的七倍，预计未来几年供应仍将保持紧张。

除Solidigm的美国建厂计划外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州芯片制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动高带宽存储器（HBM）先进封装工厂建设。市场研究机构Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度，中国存储芯片制造商长江存储（YMTC）的全球NAND闪存市场排名升至第三位。

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