SK海力士拟考虑将内存制造迁往美国

SK海力士正与英特尔探讨在美国本土生产内存芯片的可行性，路径包括租赁俄亥俄州晶圆厂产能或联合云计算企业组建合资公司。目前磋商尚处初步阶段，具体合作对象和产品路线未明确，公司表示尚未确定任何合作方，也未正式敲定美国本土内存生产计划。此前，该公司在印第安纳州启动总投资超40亿美元的HBM工厂建设，预计2029年下半年量产，但核心DRAM晶圆仍由韩国供应，赴美仅负责先进封装与检测。若此次制造计划落地，SK海力士将实现内存芯片核心产线的海外转移，推动美国半导体本土化从“掌控终端关键制程”迈向“实现核心芯片本土制造”。（产联社）