SK海力士旗下Solidigm考虑在美国建NAND闪存工厂 原创

产联社编译

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9月18日，据路透社报道，SK海力士旗下子公司Solidigm正考虑在美国建设NAND闪存芯片工厂，纽约州北部地区目前为主要候选地点。三名知情人士称，该项目仍处于评估阶段，关键细节尚在讨论中。

SK海力士表示，Solidigm正在评估多种方案以增强业务竞争力，但目前尚未确定具体计划。Solidigm未回应路透社置评请求。知情人士称，该项目与SK海力士近期就利用英特尔俄亥俄州工厂生产存储芯片展开的谈判无关。

如果在美国建厂，Solidigm可降低对位于中国大连的唯一NAND生产设施的依赖，同时减轻美国潜在关税的影响。美国限制向中国出口半导体制造设备，导致大连工厂在扩产或升级时难以获得相关设备；而在美国建厂，设备可直接运往美国，从而绕开这一限制。

不过，美国芯片制造成本高于韩国，加上美国与韩国仍在就贸易和投资安排进行谈判，SK海力士可能采取较为谨慎的投资策略。

此次评估正值全球存储芯片供应趋紧之际。人工智能数据中心投资持续增长，带动内存芯片需求增长。路透社此前报道称，长鑫存储（CXMT）计划在北京一座新工厂内建设NAND闪存研发生产线，寻求进入由三星、SK海力士和美光主导的市场。

SK海力士于2020年以90亿美元完成对英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务，以及中国大连NAND工厂的收购。次年，SK海力士成立美国子公司Solidigm，承接原英特尔SSD业务。此后，该业务经历多年亏损。上月，SK海力士曾回应媒体关于Solidigm探索约5万亿韩元（约36亿美元）的IPO前融资计划的报道，称公司正在考虑提升Solidigm竞争力的措施，但尚未作出决定。

与此同时，韩国政府正敦促SK海力士和三星加快在韩国西南部建设半导体制造集群。美国方面则持续推动韩国芯片企业扩大在美国本土产能。美国商务部长霍华德·卢特尼克此前表示，如果韩国和台湾企业不承诺扩大美国芯片产能，美国可能对其征收最高100%的关税。

目前，Solidigm美国建厂计划尚未达成最终协议，投资规模、厂址以及生产时间表均未确定。

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