SK海力士拟与英特尔磋商在俄亥俄州生产DRAM

SK海力士正就租赁英特尔位于美国俄亥俄州纽奥尔巴尼工厂的部分设施，或与英特尔及美国主要云服务企业成立合资公司进行磋商。据悉，该工厂已获准生产存储型半导体，且SK海力士计划在美国建立完整的DRAM前道制程晶圆厂。若合作达成，将有助于加快英特尔俄亥俄工厂建设进程，并降低SK海力士新厂建设的时间与成本。目前，SK海力士以2029年量产为目标推进印第安纳州HBM后道工厂建设，同时其子公司Solidigm正在纽约州推进NAND闪存工厂项目。分析认为，此举有望构建覆盖美国中西部与东北部的存储器生产网络，提升对英伟达、谷歌等AI企业供应链的响应能力。（首尔经济新闻）