SK海力士洽谈与英特尔合作，拟首次在美国生产存储芯片 原创

产联社编译

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9月16日，据路透社援引三名知情人士消息，韩国存储芯片制造商SK海力士正与英特尔洽谈一项合作，若最终达成，将使SK海力士首次在美国本土生产存储芯片。目前谈判仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。

消息人士称，双方正在讨论多种合作模式。其中一种方案是SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州芯片制造园区的部分厂房；另一种方案则是SK海力士与英特尔及大型云服务商成立合资企业，云服务商也在寻求锁定存储芯片供应。

目前尚不清楚SK海力士若赴俄亥俄州生产，将具体制造哪类芯片。公司产品覆盖服务器、个人电脑和智能手机使用的DRAM，以及NAND闪存，同时也是AI芯片所需高带宽内存（HBM）的主要供应商。消息人士称，如果合作涉及HBM或DRAM等先进存储芯片，可能需要面对韩国方面的技术审查。韩国贸易部表示，企业可自行作出投资决定，但若涉及“国家核心技术”，将依据《工业技术保护法》接受审查。

SK海力士回应称，公司正在研究包括增加生产基地在内的多种方案，以增强存储业务竞争力，但目前尚未确定任何事项。英特尔则拒绝评论相关谈判，但表示仍在继续投资俄亥俄州项目，为厂区投入运营做准备。

英特尔2022年宣布计划在俄亥俄州投资最高1000亿美元建设芯片制造园区，但项目进度此后推迟，两座工厂目前预计分别于2030年和2031年完工。SK海力士目前在美国仅有一座位于印第安纳州的芯片封装工厂。若此次合作落地，将进一步扩大其在美国的制造布局，同时为英特尔俄亥俄州项目引入新的产能用户。

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