SK海力士拟考虑将内存制造搬至美国

9月16日，路透社援引三名知情人士称，SK海力士正与英特尔探讨首次在美国本土制造内存芯片的可能性。其中一种方案是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂；另一种更激进的方案是SK海力士、英特尔及大型云计算企业共同组建合资公司。目前谈判仍处于探索阶段，具体生产DRAM、NAND还是其他产品尚未确定。SK海力士随后强调，目前尚未决定与特定企业合作，也未最终确定美国内存生产计划。2026年8月，SK海力士为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超40亿美元，计划2029年下半年量产下一代HBM。若SK海力士真将DRAM晶圆制造转移至美国。（产联社）