长鑫存储计划投产HBM3E，良率仅20%至30%

10月28日，长鑫存储技术有限公司宣布计划投产HBM3E——一种用于人工智能处理器的先进高带宽内存芯片。据知情人士透露，该产品目前良率仅为20%至30%，远低于韩国SK海力士约70%的水平。尽管如此，长鑫存储仍决定推进该项目，以应对美国对华出口管制背景下国内AI芯片厂商面临的先进内存短缺问题。该公司已向华为、寒武纪、墨芯科技及伊鲁瓦塔核心X等多家国内AI芯片设计企业送交HBM3E样品，并预计在未来两个月内启动小规模量产。路透社首次披露了该产品的良率及首批交付时间表。高带宽内存通过垂直堆叠多个存储芯片实现高速数据交换，是训练大型语言模型的关键组件。（The Edge Malaysia）