长鑫存储计划批量生产HBM3E高带宽存储晶片，良率约20%至30%

路透社引述知情人士报道，中国存储晶片制造商长鑫存储计划开始批量生产HBM3E高带宽存储晶片。据悉，该晶片生产良率目前仅约20%至30%，远低于市场龙头韩国SK海力士约70%的水平。尽管良率偏低，长鑫存储仍决定推进量产，以应对中国AI存储晶片严重短缺问题。在美国限制中国获取外国先进技术背景下，中国政府正支持国内企业开发英伟达AI处理器的国产替代产品，而HBM3E是其中关键零部件。长鑫存储作为中国最大的DRAM制造商，已向多家本土AI芯片设计公司提供HBM3E样品。一名知情人士透露，公司预计将在未来两个月内启动小规模生产（联合早报（中文））