长鑫存储（CXMT）计划量产HBM3E，良率20%至30%

当地时间28日，长鑫存储（CXMT）向多家中国人工智能芯片设计企业发送HBM3E样品，并计划在未来两个月内启动小规模生产。据悉，CXMT生产的HBM3E产品良率仅为20%至30%，远低于行业龙头韩国SK海力士约70%的水平。HBM是一种通过垂直堆叠存储芯片以拓宽数据传输通道的新型存储技术，被视为全球AI半导体市场核心部件。在美国出口管制背景下，HBM已成为中国政府推动国产替代、以取代英伟达AI加速器的关键组件。尽管良率偏低影响整体产能，但面对HBM供应短缺困境，中国仍决定推进相关产品量产。此外，华为、寒武纪等企业因存储成本上升，已将芯片售价上调20%至50%（首尔经济新闻）