路透：三星、SK海力士推进在华工厂升级，或面临美国设备出口管制 原创

产联社编译

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韩国芯片企业三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK hynix）正在升级中国工厂，拟生产更先进的存储芯片，以应对市场竞争并满足人工智能（AI）需求。两家公司已确认升级正在进行，但具体生产计划及所需设备的美国出口许可情况，仍有部分信息尚未公开。

据路透社10月21日援引四名知情人士报道，两家公司正推动中国工厂生产更高层数的NAND闪存。NAND是一种断电后仍能保存数据的存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑及AI数据中心的固态硬盘。通过增加NAND的堆叠层数，有助于提高存储密度、降低成本。

三星和SK海力士在向路透社提供的声明中确认，正在与美国政府密切磋商的情况下推进在华工厂升级，但均未披露具体生产计划。

由于升级涉及引进受美国出口管制的芯片制造设备，两家公司需要取得相关许可。不过，美国此前表示不支持在华工厂升级技术，路透社尚无法确认此次升级所需设备出口许可的具体获批范围。

三星拟改造西安工厂，SK海力士推进大连业务升级

知情人士称，三星西安工厂目前生产约200层NAND芯片，约占其全球NAND产量的40%。公司正推进内部名为“Monami”的改造项目，转向生产286层V9 NAND芯片。

一名知情人士表示，三星计划今年12月实现该产品月产5000片晶圆，到2027年12月增至月产4万片。三星强调，升级符合美国出口规定，旨在满足包括美国客户在内的全球需求，并不涉及扩大产能或新建制造设施。

SK海力士则据悉计划将大连工厂由目前的192层NAND产品，转向240层及以上产品。一名知情人士称，公司已获准在当地生产最高240层芯片，并可能寻求美国批准，开展300层以上芯片的研发，为未来可能在美国生产奠定基础。

SK海力士于2021年收购英特尔（Intel）的NAND业务时取得大连工厂。相关业务如今由Solidigm公司运营，该公司正筹备在美国上市。此外，SK海力士正与美国政府讨论新建美国NAND工厂的计划。

出口限制与市场竞争影响投资决策

美国自2022年起对部分芯片制造设备实施出口管制。据报道，三星和SK海力士目前若要在中国安装刻蚀机等美国制造设备，须每年申请美国许可。刻蚀机用于去除晶圆上的特定材料，形成芯片所需的微细结构。

美国商务部工业与安全局（BIS）未直接说明本次两家公司审批的进展，而是援引2025年的立场：拟批准支持现有在华工厂运营的许可申请，但不支持扩大产能或升级技术。

与此同时，中国存储芯片企业长江存储（Yangtze Memory Technologies，YMTC）的市场份额上升。研究机构Omdia数据显示，今年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额为38.5%，高于2025年全年的28%，并超过三星；三星和SK海力士的份额则分别由36%和20%降至33.5%和17%。

报道指出，监管障碍限制了两家韩国企业改造中国工厂的能力，也是其市场份额流失的原因之一。如何在出口限制、技术升级与市场竞争之间安排在华投资，仍是两家公司面临的重要问题。

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