长鑫存储宣布G5平台量产，存储密度提升50%

2026年9月20日，长鑫存储技术（CXMT）在安徽省合肥市正式宣布启动第五代DRAM工艺——G5平台的量产。该公司表示，采用该平台后，每片晶圆可生产的潜在Die数量较第四代平台至少提升50%，存储密度显著提高。通过“四重图案化”技术，其存储阵列活动区半间距已缩小至11.95纳米。基于G5平台，CXMT发布了两款24Gb LPDDR5X产品，单颗DRAM Die容量达3GB，较此前16Gb产品提升50%。目前，这两款产品已进入规模量产阶段。据TrendForce统计，2026年第二季度，CXMT以9.5%的全球DRAM销售额市占率位居第四（首尔经济新闻）