长鑫第五代DRAM平台量产，单片晶圆产出提升至少50% 原创

产联社编辑 | 黄钰慧

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【产联社】国产DRAM的工艺迭代再进一步。9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）正式量产，并同步展出基于这一平台打造的大容量LPDDR5X产品。

G5平台量产后，最直观的变化是单片晶圆产出提高。据长鑫存储披露，统一换算成8Gb颗粒后，G5平台每片晶圆产出的裸片数量较第四代平台至少提升50%，在产品能效和成本控制上也具备优势。工艺平台也已经转化为具体产品。此次大会展出的两款LPDDR5X产品单颗容量均达到24Gb，较上一代同类型产品提升50%，目前均已进入规模量产阶段，可用于中高端智能手机、便携式消费电子等设备。

从去年量产LPDDR5X，到今年LPDDR6实现量产商用，再到第五代DRAM工艺平台落地，长鑫正在同时推进“工艺平台”和“产品”两条线的迭代。其2026年半年报显示，目前公司的DRAM产品已经覆盖服务器、个人电脑、智能手机、智能汽车等主要应用市场。

9月18日，长鑫科技股价上涨3.87%，收报55.54元/股，当日成交额144.64亿元，总市值约3770亿元。

一片晶圆裸片数提升至少50%芯片

G5平台首先改变的是DRAM的制造效率，长鑫通过进一步缩小存储单元，把更多芯片装进同样面积的晶圆。

DRAM可以简单理解为电脑、手机和服务器用于临时存放正在处理数据的“工作台”。对DRAM制造商而言，在保持产品性能和可靠性的前提下，把存储单元做得更小，就能够在有限的晶圆面积上容纳更多存储单元。

长鑫此次公布了三个主要工艺指标。其中，G5平台采用四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。通过调整工艺流程和采用新材料，将存储电容深宽比做到45:1。同时开发适配DRAM的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，把核心功能区高度缩小至6762纳米。

这些参数最终指向的是更高的存储密度。按照8Gb颗粒的统一口径计算，G5平台每片晶圆产出的裸片数量较第四代平台至少提高50%。简单来说，在相同尺寸的晶圆上，长鑫能够切割出更多DRAM裸片，从而提高单片晶圆的有效产出。

这也是此次G5量产与单纯公布研发进展的区别。

今年7月，长鑫科技在科创板上市网上投资者交流会上曾披露，第五代DRAM工艺技术平台及配套产品已经进入研发阶段。两个月后，公司宣布这一平台正式实现量产，意味着相关技术已经从研发环节进一步进入规模制造阶段。

在研发方式上，长鑫还为G5建立了一套数字孪生系统，将设计、开发、制造和维护等环节纳入虚拟研发线，通过建立DRAM工艺模型加快研发进程。不过，相比这些具体技术路径，对于下游企业而言，更直接的结果仍是制造密度和产品容量的提高。

两款24Gb LPDDR5X进入规模量产

新的工艺平台已经开始转化为产品，首批展示的两款LPDDR5X将主要面向中高端手机和便携式电子设备。

在2026世界制造业大会现场，长鑫同步展出了两款基于G5平台制造的LPDDR5X产品，两款产品单颗容量均为24Gb，分别采用496Ball和245Ball封装，单颗容量较上一代同类型产品增加50%，目前均进入规模量产阶段。

LPDDR即低功耗双倍数据速率内存，主要用于智能手机、平板电脑等对功耗较为敏感的移动设备。与电脑和服务器常见的DDR内存相比，LPDDR需要在数据传输速度、容量与功耗之间取得平衡，因此也是观察手机内存升级的一条重要产品线。

长鑫在这一市场的产品迭代速度正在加快。

2025年10月，长鑫宣布LPDDR5X实现量产，当时产品已经形成颗粒、芯片和模组等不同形态，速率覆盖8533Mbps、9600Mbps和10667Mbps。其中8533Mbps和9600Mbps产品已经量产，10667Mbps产品当时处于客户送样阶段。

不到一年后，更高速率的产品开始进入终端。

长鑫存储披露，努比亚NaviX Ultra搭载了其10667Mbps LPDDR5X内存。中国证券报的现场报道将其称为国产10667Mbps高速率LPDDR5X的首次量产应用。

与此同时，长鑫已经继续向下一代移动内存推进。

9月7日，长鑫存储正式宣布自主研发的LPDDR6实现量产商用，并首发搭载于小米18 Fold。按照长鑫公布的数据，该产品单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量16GB，最高传输速率达到12800Mbps。以峰值带宽口径计算，相比10667Mbps LPDDR5X提高60%，功耗则较上一代LPDDR5X降低20%。

这一进展也更新了长鑫半年报披露时的状态。8月底发布的2026年半年报中，LPDDR6尚处于向关键客户送样验证、加快推进量产阶段，进入9月后，公司正式宣布产品量产商用。

因此，此次G5平台量产并不是孤立的一次工艺升级。过去一年，长鑫在移动DRAM产品线上已经形成从LPDDR5X到LPDDR6的连续更新，而新的工艺平台则为后续不同容量、性能产品提供制造基础。

从产品迭代走向工艺平台升级

如果把时间线拉长，长鑫此次G5量产的变化在于，其竞争维度已经从推出单款DRAM产品，进一步延伸至底层工艺平台。

长鑫科技2016年成立，长期专注于DRAM的研发、设计、生产及销售。公司在近期业绩说明会上表示，其采取“跳代研发”策略，已经完成第一代至第四代工艺技术平台的量产，并形成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖。

在移动设备市场，长鑫2026年半年报显示，LPDDR4X已经进入小米、OPPO、vivo、传音、联想等厂商供应链。LPDDR5/5X则进入小米、传音等品牌供应链，面向中高端智能手机、笔记本电脑和AIoT等市场。此外，公司车规级LPDDR4X已经大规模量产，车规级LPDDR5X也已量产并推向市场。

在PC和服务器领域，长鑫DDR5产品也已经实现量产，并形成RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等不同模组。其中RDIMM和MRDIMM主要用于服务器，UDIMM/CUDIMM主要面向台式电脑和工作站，其他产品则覆盖笔记本电脑等终端。

这意味着，G5量产之后，新工艺平台未来能够承接的产品并不局限于此次亮相的两款LPDDR5X。长鑫目前已经同时覆盖移动设备、个人电脑、服务器和智能汽车等市场，新工艺平台后续如何导入更多产品，将成为观察其量产进展的另一个维度。

从行业位置看，长鑫在近期业绩说明会上援引Omdia数据称，按出货量和销售额统计，公司已经成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。公司同时表示，随着现有产能释放及规划产能逐步完成，将继续扩大市场覆盖。

长鑫自身对G5的表述是，其工艺水平“比肩行业顶尖量产工艺节点”。第一财经的现场报道则称，11.95纳米有源区半间距接近全球最顶尖的内存量产平台制程。现阶段，更稳妥的观察指标仍是新平台实际带来的晶圆产出、产品性能以及后续终端应用。

对上下游企业而言，G5量产带来的变化最终仍要落到产品供应上。对手机、PC等终端厂商来说，长鑫从LPDDR5X到LPDDR6持续扩展高速、大容量产品，意味着国产DRAM可选择的产品规格正在增加。对设备、材料及封测等上游企业而言，工艺平台持续微缩以及规模量产，则会进一步提高对先进制造环节配套能力的要求。

但从G5平台量产到更大范围的终端导入仍需要产品验证、客户适配和产能爬坡，后续更值得关注的是24Gb LPDDR5X的实际出货规模，以及G5平台是否继续导入DDR5等其他产品线。

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