三星拟与ASML共同开发高NA EUV光刻技术
据首尔经济日报报道，三星正与全球最大的光刻设备制造商ASML合作，共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。三星参与推动行业标准转变，计划将自20世纪80年代以来使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本，并力争率先基于高NA EUV设备建立DRAM量产体系。公司计划从2028年开始将高NA EUV设备应用于DRAM生产，随后进一步扩展至1.4纳米先进逻辑工艺，以推动晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术局限。高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%，可形成更精细电路图案。将6英寸掩模版替换为12英寸版本。（产联社）
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