摘要：三星计划2028年开始将High NA EUV设备用于芯片大规模生产；台积电计划2030年开始采用，并与ASML推进12英寸光掩模技术。

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9月8日，据彭博社报道，荷兰半导体设备制造商阿斯麦（ASML Holding NV）已获得全球多家主要芯片制造商对其最新光刻设备的采用承诺。随着人工智能需求的快速增长，ASML还与三星电子、台积电和英特尔就提升芯片生产效率达成更广泛的技术合作。

英特尔之后，三星、台积电也加入High NA EUV行列

三星电子和台积电计划分别于2028年和2030年开始将ASML的高数值孔径极紫外光刻设备（High NA EUV）用于芯片量产，加入已经采用该设备的英特尔行列。

三星是全球主要的存储芯片制造商，台积电则是全球领先的芯片代工企业，为英伟达、苹果等公司生产芯片。

目前，ASML是全球唯一能够生产极紫外光刻设备（EUV）的企业。EUV光刻设备是生产全球最先进人工智能加速器及类似高端芯片所必需的关键设备。ASML于2019年推出低数值孔径EUV设备，此后一直与客户合作推进更先进的High NA EUV技术应用。当前，High NA EUV光刻机单台价格最高可达4亿美元。

三星则计划从2028年开始，将ASML的High NA EUV设备用于存储芯片生产。三星表示，公司将与产业合作伙伴密切合作，开发所需的光掩模技术及配套基础设施。

此前，台积电在采用价格更高的High NA EUV设备方面一直较为谨慎，认为其生产效率提升尚不足以抵消设备成本。

根据周二发布的声明，台积电目前计划从2030年开始采用基于现有6英寸光掩模的High NA EUV设备。此外，台积电与ASML还计划在2031年前建设一条12英寸光掩模测试线，并推动该技术于2033年开始与High NA EUV设备结合用于生产。

台积电决定采用High NA EUV设备，对ASML未来增长具有重要意义。根据彭博汇编的数据，台积电约占ASML营收的16%。

英特尔已经接收High NA EUV设备。随着公司由主要生产自有芯片向提供芯片代工服务转型，英特尔表示，目前已经可以向潜在客户提供High NA EUV技术带来的生产优势。过去三年多来，英特尔也一直参与推动更大尺寸光掩模技术的开发。

大尺寸光掩模助力High NA EUV设备量产

光掩模是半导体制造中的关键工具，其作用类似于印刷使用的模板，通过光将电路图形转移到硅晶圆上。

ASML首席技术官Marco Pieters表示，采用更大尺寸的光掩模，可使High NA EUV设备的生产效率提高40%，同时简化芯片设计流程。他表示，这将为芯片生产效率提升带来重要机会。

Pieters还指出，三星、台积电和英特尔的参与，是推动High NA EUV技术在先进芯片制造中实现大规模量产的重要一步。随着芯片制造技术继续升级，客户预计需要使用High NA EUV技术的芯片制造层数将不断增加，因此也更加重视扩大光掩模尺寸所带来的生产效率提升。

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