英特尔14A制程缺陷密度下降速度为22nm以来最佳

英特尔财务长辛斯纳透露，下一代14A制程缺陷密度下降速度为22nm以来最佳。他表示，14A制程目前缺陷密度优于原先设定的目标曲线，下降速度也胜过过去多个制程节点，“自22nm以来，没有看过这样的表现”。英特尔在22nm制程首度导入鳍式场效电晶体（FinFET）架构，2012年起以此设计产品，是英特尔具代表性的先进制程。辛斯纳此次比较的是14A开发阶段的缺陷下降轨迹，并非直接比较两个节点最终的缺陷密度或量产良率。依英特尔技术蓝图，14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，或在相同性能下降低25%至35%功耗，芯片密度最高增加30%。（产联社）