摘要：AI基础设施需求推高DRAM价格，韩国DRAM出口单价升至每公斤9.2183万美元，约可兑换620克黄金。高盛预计，DRAM、NAND和HBM供应紧张可能持续至2028年。HBM挤占晶圆产能，也加剧了普通DRAM供应压力。

产联社编辑丨开蓉蓉

图片由AI生成

【产联社】AI驱动的存储价格上涨，正在改写半导体行业的定价逻辑。8月26日公布的最新数据显示，韩国DRAM出口单价已飙升至每公斤9.2183万美元，1公斤韩国产DRAM芯片可兑换620克黄金。DRAM的单位重量价格已是铂金的1.53倍、白银的41.7倍。

这一价格较2023年1月的低点已上涨约12.5倍。仅8月前20天，韩国DRAM出口单价同比涨幅即达401%，同期出口额增长504.8%至98亿美元。

图片来源：TrendForce

价格上涨背后，是AI服务器、数据中心和高带宽内存（HBM）需求共同推动的供需失衡。

HBM挤占晶圆产能，普通DRAM供应承压

此轮涨价的核心驱动力，来自AI基础设施建设对存储芯片的集中需求。高盛在最新研报中将2026年DRAM供应缺口预测从此前的4.9%上调至5.0%，2027年缺口更从2.5%大幅上修至5.9%。该机构预计，DRAM、NAND和HBM的紧张态势将延续至2028年。

AI服务器使用的高带宽内存（HBM）正在大量消耗有限产能。TrendForce预计，到2027年底，三星电子、SK海力士和美光三大厂商用于HBM生产的晶圆投入量将占DRAM总投入的30%，但HBM占实际比特供应量仅约13%。

这一悬殊比例意味着，大量产能被消耗在HBM上，但对市场实际供货量的贡献却极为有限。

美光科技研究员在Hot Chips 2026大会上披露，相同容量下HBM的晶圆面积约为DDR5的三倍，且这一差距随每一代产品迭代仍在扩大。HBM4芯片可容纳256个存储体，而DDR5仅32个，并行架构带来的带宽提升是以更大的芯片面积为代价的。

图片来源：申万宏源2026报告

存储涨价向PC等终端传导

存储芯片的涨价正沿着产业链迅速传导。今年2月，惠普告知投资者DRAM已占其PC制造成本的35%，远高于上一季度的15%至18%。IDC预计2026年笔记本电脑平均售价将逆势上涨17%；华硕则表示第二季度PC产品售价将普遍调涨约25%至30%。

市场已出现极端价格信号：一套主流32GB DDR5-6000内存套装售价约392美元，一年前仅为110至140美元；128GB DDR5内存价格超过3399美元，过去12个月涨幅达500%。

IDC警告，受内存短缺拖累，2026年全球PC出货量将同比下滑11.3%，第四季度跌幅或扩大至20%。消费电子制造商已触及成本转嫁的上限，第三季度合约价涨幅虽放缓至13%至18%，但并非供应改善所致。

存储厂商的预警一个比一个激进。SK海力士CEO郭鲁正明确表示，从供应端来看，2027年将是内存短缺周期中最糟糕的一年，客户需求将在2030年后持续超过供应能力。SK集团会长崔泰源更直言，所有客户都在要求接近原需求两倍的供货量，"这是争夺存储芯片的战争"。

据供应链消息，三星电子、SK海力士、美光三大巨头已基本完成2027年全年DRAM与HBM产能分配谈判，多数客户最终拿到的配额仅为其最初请求量的60%至70%。SK海力士去年10月即表示2026年产能已全部售罄。

高盛预计，HBM市场规模将从2026年的560亿美元增长至2027年的1160亿美元，2028年进一步达到1680亿美元。摩根士丹利数据显示，五大超大规模云厂商叠加英伟达与博通，合计承诺投入超3.1万亿美元用于AI基础设施建设。

多位业内人士指出，此轮存储涨价不同于以往的周期性波动。Counterpoint Research报告称，DRAM每克价格已超越黄金，反映出存储正由传统景气循环商品转型为AI时代核心零组件。

缓解当前压力的路径极为有限：中国CXMT大规模量产具有竞争力的DDR5、混合键合技术提前在HBM5之前商用，或DDR5利润率回落至HBM之下，而这三者在可预见的未来均难以实现。

存储芯片从 commodity（大宗商品）变为 strategic asset（战略资产），这一转变正在重塑从晶圆厂到终端消费者的整条价值链。

信息来源说明：韩国贸易统计促进院（TRASS）、高盛（Goldman Sachs）、TrendForce、美光科技（Micron）、SK海力士（SK Hynix）、IDC、Counterpoint Research、Hot Chips 2026大会公开资料

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