NAND迈过300层 钼代钨催生超十亿美元设备市场

摘要：随着3D NAND持续向300层以上演进，钨字线面临电阻、漏电及高深宽比填充等挑战。SemiAnalysis认为，钼正成为下一代高层NAND的重要材料路线，并预计相关沉积设备市场将在未来几年快速增长。

产联社编辑丨开蓉蓉

【产联社】3D NAND闪存堆叠持续向300层以上演进，传统钨字线面临新的工艺挑战。半导体研究机构SemiAnalysis于8月23日在X平台连发多条推文指出，在超高层NAND中，钼有望逐步替代部分钨材料，并将其视为重要技术路线之一。

三星、美光、SK海力士均已推进相关技术研发或量产布局，按照SemiAnalysis的判断，未来数年可能进入新一轮设备和材料投入周期。

钨遇瓶颈，钼路线升温

3D NAND约十年前停止横向微缩，转靠垂直堆叠提升密度。但当层数突破约300层后，连接存储单元的钨字线同时暴露三大缺陷：电阻过高导致信号延迟；基于氟的前驱体化学工艺引发漏电；超高深宽比深孔中无法有效填充。SemiAnalysis认为，继续优化钨工艺的空间正在收窄。

钼对应提供三项修复：电阻更低，读写速度提升；无需氟基化学工艺，从根源消除漏电风险；高深宽比结构填充能力更优。

技术替换具有必然性，而非工程改良。当前量产仍集中在2xx层。铠侠/闪迪218层、美光276层、三星286层，SK海力士以321层领跑。向3xx至4xx层的跃迁已在推进，SemiAnalysis预估钼在NAND总产能中的占比将从2025年中个位数跃升至2027年约30%。

图：各厂商 NAND 层数位置与钼产能占比预测

来源：SemiAnalysis

设备采购集中放量

据SemiAnalysis及相关厂商披露，主要NAND制造商正在推进钼相关工艺。三星、美光和SK海力士在不同代际产品上均有相关研发或量产规划。

自2024年起，三星钼字线产品已进入量产；美光于2025年在泛林ALTUS Halo设备上启动大规模量产；SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。三大厂商时间表叠加重合，2025至2027年将是设备采购与产线改造的集中释放期。

图：各厂转钼时间表与设备市场空间

来源：SemiAnalysis

泛林集团于2025年2月推出全球首型钼原子层沉积设备ALTUS Halo，美光高管明确表示该设备“使美光将钼投入量产成为可能”。每一次钨转钼均需配套新型沉积设备。SemiAnalysis测算，仅2027年NAND钼沉积设备销售额将超10亿美元；随着DRAM和逻辑芯片跟进，2030年有望达约20亿美元/年。

受益格局方面，泛林率先受益，东京电子紧随其后；应用材料、ASM国际及北方华创更多承接DRAM与逻辑转型的第二波红利。

材料认证成为关键门槛

材料切换并非简单更换靶材，而是前驱体供给、ALD腔体、刻蚀、清洗、尾气处理的全链条重构。钼前驱体多采用低挥发性固态源，与传统六氟化钨气态体系差异巨大，需新增气化装置、温控管路及精密供气系统。核心供应仍集中于欧美日韩化工巨头；国内雅克科技、南大光电等尚在研发或验证阶段，国产替代仍需时日。

高纯钼靶材环节，国内企业突破较快。隆华科技旗下四丰电子已批量供货三星286层NAND；有研新材12英寸6N钼靶通过三星、SK海力士双认证并小批量出货。上游资源端，金钼股份、洛阳钼业占据国内主要产量，但半导体级高纯钼粉的认证和一致性才是附加值关键，普通钼矿无法直接等价。能否进入晶圆厂供应链、通过长期一致性考核，决定材料企业能否分享本轮红利。

SemiAnalysis的预测基于良率爬坡和资本开支假设，实际节奏仍需财报验证。目前可以确认的是，随着NAND层数继续提升，钨字线面临的工艺挑战增加，钼相关材料和设备正在获得更多关注；其最终渗透率以及设备市场规模，仍取决于良率、成本和主要存储厂商的量产节奏。

信息来源说明

数据与公告来源：

SemiAnalysis，关于3D NAND钨转钼技术路线及设备市场预测的系列推文，2026年8月23日

各厂商公开披露信息：三星（钼字线2024年量产）、美光（2025年泛林ALTUS Halo设备量产）、SK海力士（2026年底375层NAND计划）

泛林集团（Lam Research），ALTUS Halo钼原子层沉积设备产品公告，2025年2月

SemiAnalysis，前道设备（WFE）细分市场测算模型

报道来源：

科创板日报，SemiAnalysis钼代钨推文相关报道，2026年8月

证券之星/智通财经，钼代钨产业链梳理报道，2026年8月

观点网、钜亨网，SemiAnalysis推文转载与梳理，2026年8月

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