SemiAnalysis：钼或成300层以上NAND必要材料选择
SemiAnalysis周日（23日）在X平台发布文章指出，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，传统钨字线面临物理与制程限制，钼可能成为高层数NAND不可避免的材料选择。分析认为，从钨转向钼是300层以上NAND发展的必要转型。目前，三星电子自2024年起已量产钼字线产品，美光科技计划于2025年通过泛林集团设备启动大规模量产，SK海力士则拟于2026年底推出采用钼制程的375层NAND。SemiAnalysis预计，钼在全球NAND总产能占比将从2025年个位数中段提升至2027年约30%。（产联社）
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