2026年二季度DRAM合约价涨58%—63%，NANDFlash涨70%—75%
2026年二季度，一般型DRAM合约价格环比大涨58%—63%，NANDFlash合约价格环比大涨70%—75%。工信部信息通信经济专家委员会委员盘和林表示，AI算力需求爆发导致三星、SK海力士、美光三大存储原厂将先进产能优先投向HBM产品线，消费级芯片供给被压缩。当前，国产长鑫存储虽已跻身全球第四大DRAM原厂，但产能规模仍远低于国际巨头，且同样聚焦高利润AI产品，未采取低价策略。华为、小米等企业已通过长期合同锁定其产能，苹果谈判降价遭拒，长鑫报价甚至高于三星、海力士。短期内，因新增产能释放周期较长，供需调整仍在持续，价格涨幅可能延续数个季度。（产联社）
特别声明：产联社摘录或转载的属于第三方的信息，目的在于传递更多信息而非盈利，同时并不代表赞成其观点或证实其描述，内容仅供参考。转载信息版权归原媒体及作者所有，若有侵权，请联系我们删除。如其他媒体、网站或个人擅自转载使用，请自负版权等法律责任。
0
0
分享
