SK海力士将投380亿美元扩建韩国芯片厂，新增DRAM和NAND生产线

SK海力士公司计划投资54万亿韩元（约380亿美元），扩建其在韩国的芯片制造工厂，以快速翻倍其产能，并缓解全球内存芯片短缺问题。为满足“人工智能时代对存储器不断增长的需求”，该公司将在龙仁新建DRAM制造厂，并于清州新建NAND制造厂。龙仁项目计划于明年7月启动，清州项目则将在明年2月开始扩建。总投资将持续到2031年4月。