美国向I-Pulse授予2.5亿美元芯片研发合同，推进新一代碳化硅半导体

产联社编译

6月25日，美国商务部宣布，已与I-Pulse公司签署最终协议，根据《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）向其授予2.5亿美元研发资金，用于开发新一代碳化硅（SiC）功率半导体，进一步提升美国在先进半导体领域的技术竞争力。

美国商务部表示，该项目将支持I-Pulse联合联邦实验室、高校及专业制造商，研发可在高温、高电流、高电压和高频环境下工作的下一代碳化硅半导体及固态开关技术，以满足极端工况下的应用需求。

根据协议，I-Pulse研发的碳化硅功率半导体将重点应用于脉冲功率系统，通过纳秒级高能脉冲技术，提高地热钻探和关键矿产开采效率，并降低开发成本。相关技术未来还可拓展至先进制造、医疗设备、聚变能源等多个商业及国防双用途领域。

美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）表示，此项投资将进一步增强美国先进半导体能力，支持国家安全和能源安全目标。美国商务部半导体投资与创新执行主任Bill Fraunhofer表示，I-Pulse研发的高功率、高频碳化硅器件及封装技术，可在剧烈冲击和极端温度环境下稳定运行，有望推动多个关键产业实现技术突破。

作为协议的一部分，美国商务部还将获得I-Pulse公司的少数非控股股权，以分享项目未来发展收益。

此次资金由美国商务部CHIPS研发办公室提供，该办公室将继续依据《芯片与科学法案》支持先进微电子技术研发和产业化。