英伟达与SK海力士签署多年合作协议 共研下一代AI内存技术

产联社编译

6月8日，据彭博社报道，英伟达与韩国存储芯片巨头SK海力士签署多年合作协议，双方将共同推进未来几代人工智能内存芯片的设计与制造，进一步深化在AI基础设施领域的合作。

根据双方声明，合作范围将涵盖下一代高带宽存储器（HBM）产品开发，以及面向AI基础设施、物理AI等新兴领域的技术协同。其中，SK海力士将参与英伟达下一代Vera Rubin平台相关内存解决方案的开发。

此前，英伟达首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（Computex）期间确认，三星电子、SK海力士和美光科技均已获得HBM4供应资格。HBM4是英伟达下一代Vera Rubin AI系统的重要组成部分，预计将于今年第三季度开始交付。

SK海力士目前是全球HBM市场龙头。根据Counterpoint Research数据，2026年第一季度，SK海力士HBM市场份额约为58%，领先于三星电子和美光科技。今年3月，公司已率先向主要客户交付12层HBM4样品，并计划于2026年下半年启动量产。

随着Vera Rubin平台进入量产周期，双方合作有望进一步巩固SK海力士在高端AI存储市场的领先优势。