台积电拟规划生产3D DRAM先进存储芯片 科创芯片设计ETF涨超2%

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7x24h 快讯
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截至2026年11月9日09:33,科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.13%。该ETF盘中换手率0.93%,成交金额764.93万元。成分股中,力芯微上涨5.80%,复旦微电上涨4.72%,峰岹科技上涨4.43%,寒武纪、芯原股份等个股跟涨。(产联社)

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