英伟达寻求破局存储紧缺，台积电被曝布局 3D DRAM

据媒体消息，台积电正规划生产 3D DRAM，该计划由其大客户英伟达推动，意在提升自身在 AI 供应链的话语权。

知情人士透露，台积电目前评估两条路径：新建专属工厂，或是收购改造现有晶圆厂，量产时间暂未确定，项目由负责先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。台积电长期聚焦逻辑芯片代工，依靠 CoWoS 封装技术实现 GPU 与 HBM 集成；存储制造市场原本由三星、SK 海力士、美光主导。3D DRAM 依靠垂直堆叠存储单元提升密度，属于下一代 DRAM 技术方向。

供需紧张的背景下，HBM 挤占大量先进 DRAM 产能，存储厂商优先投向高附加值产品，供给缺口持续放大，英伟达急需开辟新的存储供给渠道。若项目落地，台积电将从代工、封装环节延伸至存储制造。与此同时，存储大厂也在加速扩产，美光今年 3 月斥资 18 亿美元收购力积电厂房，改造为 DRAM 产线，预计 2027 年下半年投产。（财联社）