长江存储拟将第四工厂国产设备比例提升至60%至70%

11月6日，长江存储科技有限责任公司正推动位于湖北省武汉市的第四工厂建设，计划将国产半导体制造设备的应用比例提升至60%至70%。该工厂预计于2027年动工，目标是生产300层以上垂直堆叠结构的先进NAND闪存，产品主要面向数据中心及人工智能应用领域。目前，长江存储已与北方华创、中微半导体等中国设备供应商展开初步洽谈，但尚未正式下单。在清洗、抛光和刻蚀等环节，中国厂商已有供货记录；但在光刻、检测等关键工艺上仍依赖海外设备。尽管如此，若实现目标，相关中国企业有望受益。此外，长江存储母公司长鑫存储控股原计划于科创板上市，拟募资330亿元人民币，但该进程已被暂时搁置。（朝鲜日报英文版）