光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）开工

11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）在光迅科技高端光电子产业基地举行开工仪式。项目总占地约3.5万平方米，规划总建筑面积16.63万平方米，将建设两栋高等级洁净厂房、一栋智能化仓储物流中心、一栋高能效厂务动力站房、一栋员工中心及其他附属设施，员工宿舍等生活配套同步建设。项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备，提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。（产联社）