英飞凌拟在奥地利投11亿欧元，建全球首条300毫米氮化镓芯片量产线 原创

产联社编译

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德国半导体制造商英飞凌（Infineon）计划至2034年投资约11亿欧元，扩建位于奥地利菲拉赫（Villach）的芯片工厂，建设全球首条采用300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产线。项目预计2027年底开始生产，并已获得欧盟委员会对3.19亿欧元国家援助的批准。新生产线主要面向人工智能（AI）数据中心、能源基础设施、电动汽车等领域日益增长的节能芯片需求。

据德国《商报》10月27日报道，英飞凌将利用菲拉赫工厂现有的洁净车间，并对相关设施进行升级，以扩大氮化镓芯片产能。英飞凌首席执行官约亨·哈内贝克（Jochen Hanebeck）表示，此次投资将有助于加强欧洲半导体产业的发展，并提升欧洲的技术自主能力。

氮化镓是一种新型半导体材料。与传统硅材料相比，氮化镓具有电能损耗更低、开关速度更快的特点，能够提高电子设备的能源利用效率，并减少发热量。目前，氮化镓已应用于AI数据中心、能源基础设施和电动汽车等领域，但其材料成本仍明显高于硅。

此次扩产的关键在于使用更大的晶圆生产芯片。晶圆是制造芯片的圆形薄片，同样的生产工序下，晶圆面积越大，通常能够制造的芯片数量越多。英飞凌表示，300毫米晶圆的单片芯片产量约为200毫米晶圆的2.3倍，有助于提高生产效率。

目前，氮化镓功率芯片主要采用150毫米晶圆制造，行业正逐步转向200毫米晶圆。英飞凌两年前成功加工出300毫米氮化镓晶圆，此次计划将该技术进一步用于大规模商业生产。公司将根据市场需求逐步提高产量，而不是在投产时立即达到全部规划产能。

英飞凌近年来持续加大对氮化镓业务的投资。2023年，公司以8.3亿美元收购加拿大氮化镓芯片设计企业GaN Systems，以加强相关技术和产品布局。今年7月，英飞凌还启用了位于德国德累斯顿、投资约50亿欧元的新芯片工厂。

奥地利政府也将为此次扩产提供资金支持。根据英飞凌公告，欧盟委员会已依据《欧洲芯片法案》（European Chips Act）批准3.19亿欧元国家援助资金，奥地利主管部门的正式拨款承诺仍需完成相关程序。

奥地利总理克里斯蒂安·施托克尔（Christian Stocker）表示，这是奥地利高科技产业历史上规模最大的单项投资之一。英飞凌目前在奥地利拥有约5800名员工，其中约4800人在菲拉赫工作。

英飞凌表示，市场对高性能供电设备的需求正在快速增长，而氮化镓芯片能够提高AI数据中心、电动汽车及能源基础设施等领域的能源利用效率。根据公司援引的行业预测，全球氮化镓功率半导体市场规模到2031年有望达到约35亿美元，2025年至2031年年均增长约35%。

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