美光科技排除4F²技术，专注3D DRAM研发

美光科技在技术网络研讨会上宣布，将研发重点转向3D DRAM，明确排除4F²技术。公司表示，尽管已对4F²技术研究逾20年，但其工艺流程复杂、制造成本高昂，实际收益有限。美光计划在2027年下半年扩大1δ工艺量产规模，目标是将比特密度较上一代提升20%以上。长期来看，公司将借助晶圆键合与下一代极紫外（EUV）光刻技术，推进3D DRAM研发。该技术通过垂直堆叠存储单元提升容量，已在NAND闪存领域实现商业化，但DRAM领域尚未全面推广。与此同时，三星电子和SK海力士则同时布局4F²与3D DRAM，以应对技术不确定性。（朝鲜日报英文版）