三星为英伟达定制HBM，首次将基础芯片交由台积电代工 原创

产联社编译

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三星电子在为英伟达开发下一代定制版高带宽存储器（HBM）时，决定将核心组件基础芯片（Base Die）交由台积电采用3纳米工艺代为制造。这是三星首次在HBM制造阶段引入外部代工，打破其长期坚持的“统包（Turnkey）”制造模式。

10月18日，据韩国《首尔经济日报》独家报道，英伟达已指定三星电子、SK海力士及美光为其定制版HBM“NVHBM”的供应商，并要求这三家企业将基础芯片交由台积电采用3纳米工艺代为制造，同时要求核心芯片（Core Die）统一采用第6代DRAM工艺（1c）。NVHBM基于下一代HBM4E（第7代）结构。

英伟达提出上述要求，是为了确保不同供应商生产的HBM性能保持一致。制造方式统一后，也能省去分别验证各厂商产品的环节。拥有代工业务的三星电子DS部门在进行内部审查后，决定接受这一要求。

4年前，三星电子曾与台积电合作，以确保HBM与GPU连接时的封装工艺兼容。但这是双方首次从HBM制造阶段进行协作。

不过，三星在标准HBM产品上仍将维持统包（Turnkey）战略。其今年初量产的第六代HBM4及正在验证的第七代HBM4E，基础芯片均采用三星自家代工的4纳米工艺，核心芯片则在三星电子位于韩国京畿道华城市和平泽市的生产园区，采用1c制程制造。三星计划在AMD等其他客户的定制版HBM上继续坚持统包方式。

此外，三星仍保留了在NVHBM开发与生产中使用自家代工的可能性。业界相关人士表示，三星正在验证能否在自家代工厂生产NVHBM用的基础芯片，以防范台积电产能无法满足NVHBM需求的情况。

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