三星电子公布下一代内存与存储技术战略，将与AMD联合演示新技术 原创

产联社编译

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据韩联社10月13日报道，三星电子公布了下一代内存与存储技术战略，围绕高性能内存、内存容量扩展及数据存储管理三大方向，提升人工智能（AI）基础设施性能。公司还计划与美国芯片制造商超威半导体（AMD）联合演示内存扩展解决方案，以应对现有系统的内存容量限制。

三星电子在当地时间12日开幕的2026年开放计算项目（OCP）全球峰会上介绍了上述战略。该峰会在美国加利福尼亚州举行，汇集全球半导体、服务器及数据中心企业，探讨开放式硬件技术和AI基础设施的发展方向。

三星电子副总裁兼应用工程团队负责人沈浩俊在会上表示，随着AI模型规模不断扩大，推理过程中需要处理的数据量及键值缓存（KV Cache）容量持续增长。除内存带宽外，内存容量扩展和数据存储技术正成为提升AI系统整体性能的重要因素。

三星将高性能内存列为重点发展方向之一，以满足AI系统对数据处理速度和内存带宽的需求。在内存扩展方面，公司将利用计算快速互连（CXL）技术，缓解现有系统面临的内存容量限制。CXL是一种高速互连技术，可实现处理器与内存设备之间的高效连接，提高内存资源的利用效率。

在数据存储方面，三星还将下一代固态硬盘（SSD）及相关数据管理解决方案列为重点方向，以满足大规模AI应用对存储容量和数据访问效率的需求。

上述技术布局旨在从内存性能、容量扩展及数据存储等多个环节优化AI基础设施。

在与AMD的合作中，三星将重点展示基于CXL的内存扩展方案，探索解决现有系统内存容量限制问题的技术路径。

沈浩俊表示，三星正加强与全球客户及合作伙伴的协同设计和技术验证，在产品开发初期便开展合作，以推动内存和存储技术与AI系统需求相适配，进一步优化AI系统整体性能。

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