中国长鑫存储DRAM技术进展致纽约股市走弱

道琼斯工业平均指数大跌0.35%，标准普尔500指数大跌0.02%，纳斯达克综合指数大跌0.15%，费城半导体指数大跌0.23%。SK海力士股价跌幅达3.19%，美光股价大跌3.62%。市场担忧中国存储芯片技术追赶势头持续。高盛三季度净利润同比增幅达72%，但股价仍大跌0.23%；富国银行营收为218.7亿美元，低于预期的223亿美元，股价大跌3.10%；摩根大通净利润为153亿美元，低于市场预期的163亿美元，股价下滑0.86%。纽约联邦储备银行行长约翰·威廉姆斯表示，目前仍认为今年再加息一次是合适的，明年尚无必要进一步上调利率。（首尔经济新闻）