长鑫存储技术在新存储单元设计方面取得重大进展

10月12日，长鑫存储技术在提升存储密度的新存储单元设计方面取得重大进展。公司总裁曹冠宇在上海行业活动中表示，长鑫计划在2026年底前推出基于该架构的新型服务器内存产品。该技术研发的核心为“4F平方”设计——每个存储单元所占面积相当于F的平方的四倍，其中F代表半导体的最小线宽。长鑫还称，其4F平方设计的关键在于自主研发的垂直环绕栅极（VSG）晶体管技术，该技术采用垂直栅极架构，可有效解决漏电问题并大幅缩减单个存储单元占用面积，从而提升存储密度。自7月在上海证券交易所科创板上市以来，长鑫存储已多次展示技术实力。上月，该公司宣布其第五代DRAM制造平台G5已进入量产阶段（印度《明报》）