长鑫科技取得关键进展 年底拟推新一代DDR5 RDIMM

10月10日，在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇表示，公司4F² DRAM架构研发取得关键进展，预计2026年底推出融合DRAM器件、4F²架构及混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

曹堪宇称，长鑫科技自成立以来便启动4F²技术研究及专利布局，目前公开专利族超过300件；公司曾于2021年发布相关论文，并在2023年和2025年的论文中披露研发进展。（科创板日报）