ASML与蔡司披露下一代Hyper NA光刻技术，特征尺寸可缩至约5纳米
产联社编译
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10月8日，据路透社报道，荷兰光刻机制造商ASML与德国光学技术企业蔡司（ZEISS）的工程师在最新论文中表示，作为现有最先进光刻设备的下一代技术，“Hyper NA”有望在约10年后准备就绪。ASML已经开始相关研发，但尚未承诺最终生产该设备。
这篇发表于10月《微/纳米图案化,材料与计量学期刊》（Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology）的同行评审论文显示，Hyper NA预计能够打印小至约5纳米的特征尺寸，比ASML目前的High NA极紫外光刻设备缩小三分之一以上。尽管芯片厂商正在用3D设计来改进芯片，但把芯片结构做得更小，依然是提升速度、降低功耗的关键，而光刻技术就是一个瓶颈。
ASML目前在极紫外（EUV）光刻设备领域占据主导地位，其设备利用极紫外光在芯片上刻画微小电路。Hyper NA是其正在开发的下一代光刻技术，可进一步缩小芯片电路，同时沿用大量现有技术。
论文指出，蔡司目前已经能够制造精度满足Hyper NA要求的反射镜，而且新设备的体积预计只会略大于现有High NA设备。现有High NA设备本身已经接近双层巴士大小。与此同时，ASML目前使用的光源可直接继续用于Hyper NA。
在芯片制造商中，英特尔已开始在生产中使用High NA设备；三星电子和SK海力士上月表示计划于2028年开始采用，台积电则计划于2030年采用。
不过，论文作者认为，在Hyper NA之后，光刻设备可能需要使用波长更短的光源，但相关技术目前仍处于学术研究阶段。
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