长鑫科技拟动用180亿元超募资金加码研发和后道测试

9月28日，长鑫科技公告拟动用180亿元超募资金，加码技术研发和存储器晶圆后道测试。其中，130亿元将用于新建技术研发项目，总投资241亿元，建设周期30个月，实施地点位于安徽合肥长鑫12英寸存储器晶圆制造基地，资金主要用于设备购置。公司表示，将持续推进产品和制程工艺迭代，提升存储密度、功耗控制和读写性能，并加快新产品推出。另50亿元将用于向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司增资和借款，建设存储器晶圆后道测试基地二期项目，总投资108亿元，建设周期37个月，计划新建一座测试工厂，为DRAM晶片提供测试和模组组装服务。（联合早报（中文））