SK海力士CEO:扩大全球生产基地,AI存储器需求将保持高位

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产联社海外
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SK海力士CEO郭鲁正表示,公司将依托韩国、美国等地的新生产基地及研发设施扩大产能,同时推进HBM之后的下一代存储技术,以巩固其在AI存储器市场的竞争优势

产联社编译

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图片由AI生成

9月21日,据《首尔经济日报》报道,SK海力士首席执行官(CEO)郭鲁正表示,随着AI产业持续增长,AI存储器需求预计将继续保持高位,公司将通过扩大全球生产基地和研发设施,保持现有技术优势及市场地位。

郭鲁正于当地时间9月18日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“2026全球论坛”发表上述表态。SK海力士当天发布的官方信息也确认,公司正扩大韩国龙仁、美国印第安纳州等生产基地,并在美国建设新的全球AI研发中心。

产能方面,SK海力士此次公布了在韩国的中长期生产投资规划,总规模约1100万亿韩元,包括龙仁半导体集群600万亿韩元、清州生产基地100万亿韩元以及韩国西南地区新半导体集群400万亿韩元。此外,公司正在美国印第安纳州投资约5.4万亿韩元建设HBM生产及先进封装基地。相关投资将分阶段推进,其中部分项目的具体选址、建设时间及投资进度仍将根据市场需求和基础设施条件确定。

郭鲁正表示,“没有存储器,AI产业就无从谈起”,SK海力士在以HBM建立市场优势后,还将通过正在研发的下一代存储器继续拓展AI应用。公司目前正在推进高带宽闪存(HBF)等下一代技术。

当天论坛讨论还认为,随着AI快速发展,未来存储器竞争将不再局限于单项技术性能,而是更加依赖芯片设计、工艺、先进封装、接口和存储系统等不同技术之间的协同,以及提供系统级整体解决方案的能力。

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