长鑫科技第五代技术平台正式量产

9月20日，长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产。该公司将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比达45:1，核心动能区高度降至6762纳米。同时，每张晶圆的产出较上一代平台提升50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产，全面应用于中国国产主流旗舰手机。长鑫科技称，公司通过计算机模拟技术，并与中国晶片设备制造商在关键生产环节展开合作，开发该平台。长鑫科技副总裁兼市场中心负责人骆晓东在大会上表示：“我们的工艺能力目前已与业界最先进的量产节点相当。”（联合早报（中文））