长鑫科技第五代技术平台正式量产 单片晶圆产出提升超50%

9月20日，长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布，第五代技术平台正式量产。据公司介绍，该平台将内存阵列有源区半间距缩至11.95纳米，存储器电容深宽比达45:1，核心动能区高度降至6762纳米；同等条件下，每张晶圆的产出较上一代平台提升50%以上。

基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已正式量产，并进入国产主流旗舰手机。（产联社）

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